一种氮化镓器件及其制备方法

本发明涉及氮化镓器件技术领域，特别涉及一种氮化镓器件及其制备方法。氮化镓器件由下至上依次包括：衬底；缓冲层；GaN沟道层；AlGaN势垒层；栅极；源极；漏极；在所述栅极靠近漏极侧面的竖直方向投影处，缓冲层对应有一厚度落差，其靠近漏极侧区域厚度小于靠近源极侧区域厚度；在所述缓冲层栅漏区域，有一GaN沟道掺杂区。针对氮化镓器件栅极区域和栅漏区域在工作时的不同电场分布，进行对应的GaN沟道层厚度设计，提升器件栅控能力，减少关态漏电；在栅漏区域下方投影的GaN沟道层特定位置制备GaN掺杂区，通过调整器件关断状态下的耗尽层空间电荷密度及分布，均匀化电场分布，降低电场峰值，提高器件耐压能力。