横向功率半导体器件、芯片及电子设备

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种横向功率半导体器件、芯片及电子设备，横向功率半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二栅极、第一隔离层和第二隔离层；其中，第一源极、第一栅极、第二栅极以及第一漏极依次排列；第二栅极包括第一栅极区域和第二栅极区域，其中，第二栅极区域相较于第一栅极区域更靠近第一漏极；并且，第一隔离层位于第一栅极区域和衬底之间，第二隔离层位于第二栅极区域和衬底之间；并且，第一隔离层的厚度小于第二隔离层的厚度。因此，上述横向功率半导体器件能够降低栅电荷和比导通电阻产生的损耗，并且还能够提高器件的击穿电压。