半导体器件及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括衬底层；位于衬底层上且沿第一方向延伸的第一栅极和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层覆盖于第一栅极的上表面和侧表面；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层背离衬底层的一侧且沿第二方向延伸；第二栅极，第二栅极的一部分位于第二绝缘介质层背离衬底层的一侧表面且沿第二方向延伸、另一部分贯穿第二绝缘介质层并延伸至第一绝缘介质层中与第一栅极的上表面连接；第一方向和第二方向均平行于衬底层的表面且第一方向和第二方向为不同方向。半导体器件能够同时兼顾工作效率高和电压过冲应力小的需求。