一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法

本发明提供一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法，所述SiC平面型MOS器件结构包括：漏极金属层、N+衬底层、N‑漂移层、第一电流扩展层、埋置P区、第二电流扩展层、P+连接区、P基区、N+源区、栅介质、栅多晶硅、源极金属层。本发明可以有效抑制高能带电粒子入射时栅介质中产生的强电场，显著降低栅介质破裂的风险，从而大幅提升SiC MOSFET器件的抗单粒子栅穿能力。