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기록
具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法
발명유효
20청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
R·卡塞尔; A·萨多夫尼科夫; J·鲍尔; 约瑟夫·M·哈亚特
IPC 분류
H10D 30/65 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 64/27 (2025.01)H10P 50/00 (2026.01)H10P 50/28 (2026.01)
本公开涉及具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法。举例来说，一种半导体装置[100]包含半导体层[108]、安置在所述半导体层中的源极区[110]、安置在所述半导体层中的漏极区[114]、栅极电极[122]及安置在所述栅极电极的一部分与所述半导体层之间的绝缘层[120]。所述绝缘层具有朝向所述源极区延伸的第一侧壁[415]及朝向所述漏极区延伸的第二侧壁[416]，所述第一侧壁具有第一斜率并且所述第二侧壁具有大于所述第一斜率的第二斜率。