一种平面栅功率器件及其制备方法

本发明公开了一种平面栅功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：有源区和围绕所述有源区的边缘终端区；还包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面，外延层中设置有终端保护环，终端保护环位于边缘终端区，且环绕有源区；外延层中还设置有JFET注入区，JFET注入区位于所述有源区；场氧层，位于外延层的上表面，场氧层包括两部分，其中，位于边缘终端区的场氧层呈现整面结构，位于有源区的场氧层呈现间隔排布的多个条状结构，条状结构沿栅宽方向延伸。本发明能够提高半导体器件的性能。