改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂区对称设置，并且第二P型阱区的深度小于第一P型阱区的深度，使得器件内部的JFET区可以具有更高掺杂浓度的施主掺杂，在保证器件的BVDSS理想的情况下能够有效降低导通电阻，提升器件的电流密度。