一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法

本发明提供了一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法，上述垂直型薄膜晶体管包括衬底、漏电极、第一沟道层、第一介电层、栅电极、第二介电层、第二沟道层和源电极，其中，第一介电层的一端延伸至第一沟道层的侧面并接触衬底，栅电极的一端延伸至第一介电层的侧面并接触衬底，第二介电层的一端延伸至栅电极的第一侧面并接触第一介电层，另一端延伸至栅电极的第二侧面并接触衬底，第二沟道层的一端经第二介电层的侧面延伸至第一介电层的侧面并接触第一沟道层，源电极的一端经第二沟道层的侧面延伸至第一沟道层的侧面并接触衬底。本发明提供的垂直型薄膜晶体管通过设计第一介电层、栅电极与第二介电层形成倒“L”型夹心结构，可实现器件性能的提升。