一种双向开关JFET器件及其制备方法

本申请提供一种双向开关JFET器件及其制备方法。双向开关JFET器件包括：第二掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，形成在所述衬底之上；每一个元胞内具有两个沿横向方向间隔设置在所述外延层中的第二掺杂类型的源漏区；第一掺杂类型的第二栅区，形成在外延层内，横向方向位于同一个元胞的两个源漏区之间；第二掺杂类型的沟道区，形成在外延层中第二栅区之上的位置，横向方向位于同一个元胞的两个所述源漏区之间；第一掺杂类型的第一栅区，竖向方向位于所述沟道区之上，横向方向位于同一个元胞的两个所述源漏区之间；其中，所述第一栅区和所述第二栅区同电位，形成竖向设置的双栅结构。本申请解决了传统的射频开关器件关态下关断电容Coff较大的技术问题。