一种在叠层单元中形成隔离槽的方法以及半导体器件的制备方法

本说明书实施例提供了一种在叠层单元中形成隔离槽的方法，该方法通过第一次刻蚀和第二牺牲层的形成，实现了对叠层单元中牺牲层的替换，在第二次刻蚀之前，叠层单元是性质差异较大的功能层与第二牺牲层交替形成的结构，而第二牺牲层相对于功能层具有高刻蚀选择比，由于第二牺牲层与功能层之间不具有过渡区域，从而使得形成的隔离槽的侧壁的垂直度更高，实现改善隔离槽的形貌的目的。而优良的隔离槽形貌有利于改善后续形成于隔离槽中的隔离侧墙的侧面垂直度，从而保障隔离侧墙对半导体器件的源漏极与栅极之间的隔离效果，改善器件整体性能。