一种在叠层单元中形成隔离槽的方法以及半导体器件的制备方法

本说明书实施例提供了一种形成隔离槽的方法，该方法首先在叠层单元的第一槽中形成第一阻挡结构，该第一阻挡结构附着于曲面的中心区域，并将曲面中心区域的两侧区域暴露出来；如此，该第一阻挡结构可以在后续的刻蚀步骤中保护牺牲层的中心区域不被刻蚀，而牺牲层两侧凸向第一槽的部分可以被第一阻挡结构暴露出来。然后，以所述第一阻挡结构为掩膜，对牺牲层进行刻蚀，以去除牺牲层两侧凸起的部分，如此，实现对牺牲层的侧壁形状的修饰，提高牺牲层侧壁的垂直度，这样在第一阻挡结构被去除后，可以得到与剩余的牺牲层的当前形状互补的隔离槽，使得隔离槽的侧壁的垂直度也相对较高，从而实现改善隔离侧墙的侧壁的垂直度的目的。