一种半导体结构的制备方法

本发明的半导体结构的制备方法首先提供硅衬底。然后在硅衬底上形成图形化掩模层，图形化掩模层包括位于硅衬底中间区域的第一图形和位于硅衬底边缘环形区域的第二图形，第二图形覆盖的所述环形区域的宽度大于5 mm。接下来以图形化掩模层为掩模对硅衬底进行刻蚀以形成深沟槽。随后去述图形化掩模层。接着于深沟槽中填充外延材料。最后对硅衬底进行表面平坦化处理，以去除硅衬底表面过量的外延材料。本发明的半导体结构的制备方法通过在硅衬底边缘宽度大于5 mm的环形区域形成图形化掩模层，避免了在刻蚀和外延填充过程中边缘区域的损伤。显著增强了硅衬底边缘的抗应力能力，防止在后续的化学机械抛光过程中发生裂片或产生暗伤，从而提高了硅衬底的整体完整性和可靠性。