晶体管结构及其制造方法

本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。上述晶体管结构包括衬底、隔离结构、第一外延层、第二外延层、栅介电层与栅极。隔离结构位于衬底中。隔离结构在衬底中定义出有源区。隔离结构具有位于有源区的两侧的第一凹陷与第二凹陷。第一凹陷与第二凹陷分别暴露出有源区中的衬底的第一侧壁与第二侧壁。第一外延层与第二外延层分别位于第一侧壁与第二侧壁上。第一外延层位于第一凹陷中且位于隔离结构上。第二外延层位于第二凹陷中且位于隔离结构上。栅介电层位于衬底、第一外延层与第二外延层上。栅极位于栅介电层上。上述晶体管结构可有效低降低漏电流。