一种半导体结构和半导体器件

本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构和半导体器件。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层的第一表面依次层叠设置的缓冲层和漂移层；缓冲层的掺杂浓度自半导体衬底层至所述漂移层的方向上递减；第一掺杂区，位于缓冲层中；其中，缓冲层和漂移层的导电类型相同，且与第一掺杂区的导电类型相反；漂移层的掺杂浓度小于或等于缓冲层的掺杂浓度。半导体结构能够有效地抑制电压、电流震荡和过冲现象，实现更加“软”的反向恢复特性。