Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法

本申请实施例涉及一种Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法，其中，Ⅲ族氮化物外延结构包括：由第一外延层和第二外延层组成的异质结叠层；第二外延层在第一外延层上外延生长而形成；第二外延层为BAlN层；第一外延层为AlGaN层，其中，y=1‑kx，6≤k≤8.5，0＜kx≤1；或者，第一外延层为BGaN层，其中，z=mx‑n，1.13≤m≤1.2，0.13≤n≤0.2，0＜z＜1。如此，为器件设计提供了更多自由度；提高了外延层的晶体质量，最终有利于实现在器件中的合理应用，提高器件性能。