一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法

本发明公开了一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法，其包括以下步骤：S1、提供一半导体基底，在半导体基底表面形成沟槽和外延层，在沟槽的内壁进行屏蔽氧化物沉积形成第一槽内氧化层；S2、在第一槽内氧化层内进行光阻涂覆形成光阻层；S3、对光阻层进行干回刻后去除光阻形成第二槽内氧化层；S4、在第二槽内氧化层和外延层上进行多晶硅沉积后进行平坦化和回刻处理。本发明通过涂覆光阻、干回刻和去光阻后实现沟槽内具有一大于90°的开口，从而可以改善沟槽内溢出问题，同时避免沟槽底部氧化物流失，从而解决屏蔽多晶硅开裂的问题，达到预期目的。