用于含金属材料的高压退火处理

本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述处理腔室中的所述含氧气体混合物维持在约2巴和约50巴之间的处理压力下；和在所述含氧气体混合物存在的情况下热退火所述含金属层。