形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备

本发明涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备。所提供的形成可调功函数的氮化钛层方法，采用原子层沉积工艺形成可调功函数的氮化钛层，包括至少一次的沉积循环，每次沉积循环包括：S101提供钛前驱体，以形成钛前驱体层；S102通入吹扫气体进行吹扫；S103向钛前驱体层的表面提供反应气体，以形成氮化钛层；S104通入吹扫气体进行吹扫；其中，沉积循环的工艺温度≥400℃；步骤S102和步骤S104中，通过控制吹扫气体的流量和/或吹扫时间来控制氮化钛层中氯元素的含量，以调节氮化钛层的功函数。本发明通过氯含量的控制来实现功函数的调控，可解决GAA结构中传统TiN厚度调节功函数失效的问题。