一种二维半导体与金属电极的键合接触方法

本发明公开了一种二维半导体与金属电极的键合接触方法，涉及半导体技术领域。本发明将二维过渡金属硫族化合物半导体置于基底上，在其表面加工出源极图案和漏极图案，采用低能量刻蚀方式在源极图案和漏极图案对应的二维过渡金属硫族化合物半导体区域进行刻蚀，去除上层硫族原子层，暴露出过渡金属原子层，然后在过渡金属原子层表面沉积金属电极，之后进行退火处理，实现二维半导体与金属电极的键合接触。本发明方法有效解决了现有二维半导体与金属电极范德华接触无法兼顾超低接触电阻与超高热机械稳定性的问题，并且，可兼容硅基集成电路工艺，为二维半导体规模化集成提供可靠技术支撑，是一种全新的普适性的键合接触方法。