一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法。包括：半导体有源层及位于其上的栅极、源极和漏极，源极和漏极之间通过沟道连接，位于栅极与半导体有源层之间的栅绝缘层，该栅绝缘层主要由类氧化硅材料组成。本发明在栅极介质绝缘层中采用类氧化硅材料，通过等离子体化学气相室温下沉积生长高介电常数类氧化硅栅介质层，并通过工艺控制生长质量，在介电性能、界面稳定性、沉积工艺兼容性及机械柔性方面均展现出显著优势，适用于刚性和柔性电子器件的制备，满足柔性、透明和低功耗电子器件的应用需求，具有广泛的产业化前景。