半导体结构及其制备方法、半导体器件

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体结构包括基底；源区，位于基底上方，源区内设置有多个体二极管源极接触区；体二极管源极接触区的离子类型与源区的离子类型不同，以在垂直于基底的方向上形成PN结；源极，位于源区上方，源极与源区、多个体二极管源极接触区接触连接。本申请提供的半导体结构，通过在源区内设置有多个体二极管源极接触区，在三维空间内形成不同离子类型的区域交叉分布，实现P屏蔽区与源极充分短接的同时，在三维空间中拓展源极利用面积，使电流的传导路径从传统的单一方向扩展为三维方向流动，避免元胞缩小导致的欧姆接触电阻大幅度增加。