半导体器件结构及其形成方法

描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：在衬底之上形成鳍结构，以及在鳍结构的一部分上沉积一个或多个间隔件。一个或多个间隔件被沉积在鳍结构的侧壁上。该方法还包括：去除一个或多个间隔件的第一部分以露出鳍结构并使鳍结构凹陷。第一副产物层形成在一个或多个间隔件的第二部分上。该方法还包括：使第一副产物层钝化，使第一副产物层软化，去除第一副产物层的部分以露出凹陷的鳍结构，以及进一步使鳍结构凹陷。