半导体装置

公开了包括主晶体管和子晶体管的半导体装置。主晶体管包括：主沟道层；主栅电极，位于主沟道层上；主栅极半导体层，位于主沟道层与主栅电极之间；源电极和漏电极，位于主栅电极的相对侧上并且连接到主沟道层；以及场分散层，位于主沟道层上，并且位于主栅电极与漏电极之间。子晶体管包括：子沟道层，包括具有二维电子气的漂移区域，并且包括与源电极连接的第一接触部分、与场分散层连接的第二接触部分、以及连接第一接触部分和第二接触部分的延伸部分；以及子栅电极，位于子沟道层的延伸部分上并且与主栅电极连接。