半导体装置

一种半导体装置包括：基底绝缘层；栅极结构，在基底绝缘层上在第一方向上延伸；多个沟道层，在第二方向上彼此间隔开，第二方向与基底绝缘层的上表面垂直，所述多个沟道层在基底绝缘层上并且被栅极结构围绕；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，在栅极结构的两侧上并且连接到所述多个沟道层；第一间隔件层和第二间隔件层，第一间隔件层在第一源极/漏极区域下方，第二间隔件层在第二源极/漏极区域下方；以及背侧接触插塞，穿过基底绝缘层和第一间隔件层使第一源极/漏极区域的下表面部分地凹陷。