集成电路器件及其单元区和形成方法

本申请的实施例公开了集成电路器件及其单元区和形成方法。单元区包括：第一有源区(AR)；第一MD结构与贝塔轨道对齐；并且在第一金属化层中具有与阿尔法轨道对齐的段。对于一个或多个第一或第二位置，第一AR的相应区域可配置为源极区或漏极区。对于一个或多个第三位置，第一AR的相应区域可配置为源极区，但不可配置为漏极区。对于一个或多个第四位置，第一AR的相应区域不可配置为源极区或漏极区。第一至第四位置中的每个位于相应的阿尔法轨道和相应的贝塔轨道的交叉处。