SOI晶圆及其制造方法

本发明提供一种SOI晶圆及其制造方法，通过依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件衬底内形成剥离层，所述氦离子注入工艺的离子束电流小于0.315倍的所述氢离子注入工艺的注入能量；执行剥离处理，以沿剥离层剥离部分厚度的器件衬底。由于所述氦离子注入工艺的离子束电流小于0.315倍的所述氢离子注入工艺的注入能量，可以使氦离子在剥离层中均匀分布，并减少或者避免氦离子和氢离子逸散，从而提高剥离处理时的剥离界面的起泡效果，进而降低剥离处理后的器件衬底的表面粗糙度，使得SOI晶圆的翘曲度小于28μm，表面粗糙度小于等于0.25 Å。