集成电路器件及其制造方法和集成电路布局图的生成方法

本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件包括隔离结构，该隔离结构在半导体衬底正面沿第一方向在两个位置之间延伸；晶体管，包括在两个位置之间延伸的栅极和MD段，并且栅极和MD段是沿第二方向位于两个位置之间和隔离结构之间的全部栅极和MD段；正面栅极通孔，是电连接到栅极的正面栅极通孔的全部；以及正面源极/漏极通孔，是电连接到MD段的正面源极/漏极通孔的全部。所有正面栅极通孔都位于沿第二方向延伸的第一至第三层轨道中的第一和/或第二轨道的位置处，并且第一至第三层轨道是位于两个位置之间的全部最下正面金属层轨道；所有正面源极/漏极通孔都位于第二和/或第三轨道的位置处。本发明的实施例还提供了一种集成电路(IC)器件的制造方法和集成电路布局图的生成方法。