半导体换能器件及其制备方法、同位素电池

本发明涉及同位素电池技术领域并公开一种半导体换能器件及其制备方法、同位素电池，所述半导体换能器件包括P型金刚石衬底，所述P型金刚石衬底的表面附着有N型三维纳米膜，其中，所述N型三维纳米膜是由N型半导体前驱体经电解氧化后形成。所述半导体换能器件能够解决现有技术中，采用N型金刚石晶体难以实现同位素电池PN结型换能器件的要求，进而难以利用的技术问题。相比于传统的金刚石肖特基结半导体换能器件，可拥有更大的内建电场电势，采用所述半导体换能器件用于同位素电池内，将拥有更大的开路电压。