短波长红外光电探测器

本发明公开了一种短波长红外光电探测器，包括自下而上依次层叠的衬底、n型欧姆接触层、腐蚀停止层、n型次欧姆接触层、渐变层、吸收层、电子势垒层、p型欧姆接触层和制作在p型欧姆接触层的上表面上的p型电极；p型欧姆接触层为厚度小于50nm的InGaAs层，p型电极包括环形主体部，环形主体部在径向上覆盖区域距离探测器台面的中心至少为0.2R且至多为0.8R，R为探测器台面的半径。本发明光学透过率高且能有效降低探测器的串联电阻、工艺兼容性好。