一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法

一种具有光控特性的半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域。包括：第一掺杂类型半导体衬底，设置在衬底上的第一掺杂类型外延层；间隔设置在第一掺杂类型外延层中的第二掺杂类型源区和漏区；设置在源区和漏区上的金属电极，源区及漏区和金属电极形成欧姆接触。设置在源区金属电极和漏区金属电极之间的介质层。第一掺杂类型和第二掺杂类型的导电类型不同。在没有栅极加压的情况下，通过施加不同波长的光或施加不同光功率的光照，可以控制器件的开关。本发明的器件无需设计传统栅极结构，大大降低MOSFET器件的制备难度，同时采用光照控制而非电压控制，使得器件具有快速响应特性，并提高了器件的抗干扰能力。