一种硅基感知-存储一体化集成芯片及其制备方法

本发明公开了一种硅基感知‑存储一体化集成芯片，由硅基感知器阵列和存储器阵列沿垂直方向自上而下集成；硅基感知器阵列位于上方，其输入端作为芯片的输入端，接收入射光信号；存储器阵列位于下方，其输入端与感知器阵列的输出端通过工艺集成方式连接，其输出端作为芯片的输出端。本发明还公开了上述集成芯片的制备方法，包括正面工艺：保护环注入、光敏面注入、增透膜结构及正面电极制备；背面工艺：感知器输出端制备，在感知器输出端上制备“介质材料‑电极”，再通过光刻形成存储器阵列层。本发明实现了感知器阵列层与存储器阵列层垂直方向一体化集成，全工艺过程与硅工艺兼容，对推动感存算一体化芯片发展具有重要科学意义和广泛的应用前景。