成像系统、图像传感器及其制备方法

本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种成像系统、图像传感器及其制备方法，包括：包括：提供衬底，衬底的正面形成有初始隔离结构、有源区和多个像素单元，初始隔离结构位于所述有源区之间的所述衬底内；刻蚀初始隔离结构和部分衬底，以形成贯穿初始隔离结构的第一沟槽，并在第一沟槽内形成第一材料层；刻蚀部分第一材料层，以形成第二沟槽，第二沟槽贯穿初始隔离结构，剩余的第一材料层的顶面与初始隔离结构的底面齐平；在第二沟槽内填充形成垂直堆叠的氧化层和填充层，以形成第一隔离结构；减薄衬底的背面直至暴露出第一材料层的底面，去除第一材料层，以形成第三沟槽，填充第三沟槽，以形成第二隔离结构，第二隔离结构位于相邻像素单元之间。