半导体装置及其形成方法

半导体装置的半导体光学传感器结构可以包括光子吸收区域和位于光子吸收区域上方的抗反射结构(例如，抗反射膜、光栅结构)。可以针对半导体光学传感器结构调整抗反射结构以实现入射光的最小反射。具体地，可以调整诸如抗反射结构的膜厚度、折射率、光栅高度、光栅半节距、光栅宽度和/或光栅间距(以及其他示例)之类的属性，以实现入射光的高百分比的透射率(例如，传播到半导体光学传感器结构的光子吸收区域的入射光的高百分比的光子)和/或以实现对被反射的入射光的相消干涉。