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기록
太阳电池的制备方法及光伏组件
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
王锦乐; 张立运; 祝金生; 夏进怡; 罗玉珠; 钱兴; 夏伟; 顾峰
IPC 분류
H10F 71/00 (2025.01)H10F 77/20 (2025.01)H10F 77/30 (2025.01)
本申请公开了一种太阳电池的制备方法及光伏组件，该太阳电池的制备方法包括以下步骤：在硅基底表面制备氮化硅层，氮化硅层包括若干依次叠层设置的第一氮化硅子层至第N氮化硅子层，第一氮化硅子层位于靠近硅基底一侧，第一氮化硅子层中的硅原子与氮原子之比为(0.32:1)～(0.38:1)；其中，N为大于1的正整数；热处理，使氮化硅层在835℃～915℃热处理5s～10s。本申请能够有效抑制太阳电池的紫外衰减，提升太阳电池的可靠性。