太阳电池及其制备方法、光伏组件

本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法，光伏组件。所述制备方法包括以下步骤：在硅基底的表面制备第一钝化层；所述表面设置有若干塔基底座，任一所述塔基底座的边长为9μm～25μm；对所述第一钝化层进行退火处理，退火的温度为470℃～540℃；在所述第一钝化层上烧结第一电极。采用该制备方法，能有效解决第一钝化层爆膜的问题，确保第一钝化层的钝化效果。