多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器

多波段红外探测器背增透膜层制备方法、工装及多波段红外探测器，涉及红外探测器技术领域，该方法包括：提供多波段的碲镉汞芯片，固定于预设的工装上；根据背增透膜计算公式分别计算各目标波段所需的背增透膜层总厚度，在全部碲镉汞芯片上第一次沉积膜层，使第一次沉积的膜层的厚度达到各背增透膜层总厚度中的最小值，利用工装覆盖已沉积膜层的芯片表面，第二次沉积膜层，厚度为：各背增透膜层总厚度中的次小值与当前已沉积厚度的差值；依次进行，直至所有背增透膜层总厚度达到其各自对应的目标厚度完成背增透；分离完成背增透的碲镉汞芯片和工装，对碲镉汞芯片进行测试。本申请制备多波段红外探测器背增透膜层工艺兼容性强，操作简单可靠。