背接触电池的制备方法及其电池、组件

本发明涉及一种背接触电池的制备方法及其电池、组件，属于光伏发电技术领域；包括；制备单晶硅基底；通过硼扩散在所述单晶硅基底背面形成P+掺杂层、BSG氧化膜；在硅片背面P区印刷光刻胶，并固化，形成Mask1掩膜层；依次去除BSG氧化膜和Mask1掩膜层；在背面依次生成隧穿氧化层和本征Poly层；磷扩散，使磷扩散设计区域的本征Poly层转为N‑Poly层，同时外侧形成PSG层；在硅片背面N区印刷光刻胶，并固化，形成mask2掩膜层；腐蚀PSG氧化层，再使用溶液进行碱制绒同时对mask2掩膜层进行退膜，制绒后进行表面清洗，再用溶液去除BPSG掩膜层；进行双面镀氧化铝薄；进行双面减反射膜沉积；制备电极。基于产线TOPCon设备基础上只需要额外增加光刻设备，设备改造成本远低于目前N‑TBC。