一种晶硅异质结太阳电池的制备方法

本申请公开一种晶硅异质结太阳电池的制备方法，涉及光伏电池技术领域。晶硅异质结太阳电池的制备方法包括如下步骤：提供切割硅片；在切割硅片的正面进行激光预图形化处理；对经激光预图形化后的切割硅片进行制绒刻蚀处理，获得制绒硅片；在制绒硅片的正面和背面依次沉积功能叠层结构和透明导电层；利用丝网印刷工艺制备获得具有银包铜埋栅电极的晶硅异质结太阳电池。本申请的银包铜埋栅电极的栅线线宽小于或等于25μm，且银包铜埋栅电极的高宽比为0.6‑1.5，以在不增加银包铜埋栅电极表面线宽的同时实现栅线导电截面积的有效提升，使银包铜埋栅电极同时具备较低栅线电阻、较小遮光损失以及较高的机械可靠性，进一步提升光电转换效率。