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案件記録

太阳电池及其制备方法

発明有効
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§ Ⅰ

案件概要

発明者

郑林; 潘顺民; 李中兰; 孟夏杰

IPC分類

H10F 77/14 (2025.01)H10F 71/00 (2025.01)H10W 46/00 (2026.01)

本申请提供了一种太阳电池及其制备方法,该太阳电池包括硅基底、第一掺杂硅层和第二掺杂硅层,第一掺杂硅层和第二掺杂硅层均设于硅基底的背面,硅基底的背面具有分隔区,第二掺杂硅层位于分隔区内,第二掺杂硅层的两侧均通过分隔区与第一掺杂硅层相间隔;至少部分的分隔区包括识别部,沿分隔区的宽度方向上识别部的尺寸大于分隔区的主体部分的尺寸。该太阳电池及其制备方法不会对电流的收集造成影响或引起局部漏电,有利于降低激光开槽位置偏差和栅线印刷对准偏差。

外部リソース