金属半导体接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件

本申请涉及光伏发电技术领域，尤其涉及一种金属半导体接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件。该金属半导体接触结构包括相互接触的金属电极和掺杂多晶硅层，二者接触区域包括第一接触区和第二接触区；第一接触区中掺杂多晶硅层表面为平面结构，第一接触区有第一载流子输运结构，其包括设置在平面结构的导电金属颗粒；第二接触区中掺杂多晶硅层表面为具有凹坑的凹坑结构，凹坑中有第二载流子输运结构，其包括相互连接的导电共晶体和导电结晶体；金属电极、导电金属颗粒、导电结晶体有相同的金属元素，导电共晶体包括金属元素和硅元素；平面结构在接触区域中的面积S1与凹坑结构在接触区域中的面积S2之比为(40:60)～(98:2)。