太阳电池及其制备方法、光伏组件

本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：硅基底，背光面具有表面织构化结构，表面织构化结构包括若干自背光面向硅基底自身内凹形成的凹坑；功能层，功能层设于硅基底的背光面；其中，沿垂直于硅基底的厚度方向的截面上，凹坑具有底边和连接在底边端部的侧边，底边与侧边的夹角为θ，95°≤θ≤140°；凹坑相对于背光面的凹陷深度为H，50nm≤H≤5μm；凹坑的开口轮廓上任意两点之间的最大距离为W，100nm≤W≤50μm。上述结构的太阳电池能够同时提高其双面率和良率。