一种太阳电池及其制备方法、光伏组件

本申请涉及太阳电池的技术领域，具体公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括：硅基底；叠层设置于硅基底表面的掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层的厚度为25nm～80nm，掺杂多晶硅层具有呈凸起状的第一塔基结构，第一塔基结构的塔基尺寸为2.5μm～7.5μm；第一电极，第一电极与掺杂多晶硅层形成接触。本申请能够有效降低掺杂多晶硅层自身光学寄生吸收带来的影响，实现太阳电池的光电转换效率的有效提升。