一种具备预制孔洞结构的基片及其加工方法与加工设备

本发明公开了一种具备预制孔洞结构的基片及其加工方法与加工设备，包括半导体基片以及形成于半导体基片上的预制孔洞结构；预制孔洞结构的加工区域边缘定义为沿孔洞结构的加工边界向半导体基片内部延伸距离h，其中h=孔洞结构的平均半径/10；半导体基片无深度区域缺陷，深度区域缺陷为沿加工区域边缘向半导体基片内部延伸超过h的可观测线缺陷或面缺陷；取半导体基片的任意截面，采用SEM表征观测加工区域边缘；预制孔洞结构由激光加工方法直接形成，且未经过清洗或后处理工艺。基片无深度区域缺陷能够从根源上阻断深度缺陷在后续器件制造中的扩展路径，避免因缺陷引发的基片裂片、碎片问题，将基片后续工艺破损率下降，提升材料利用率。