减少波长红移的全光谱LED外延生长方法

本发明适用于半导体技术领域，提供了减少波长红移的全光谱LED外延生长方法，采用金属有机化学气相沉积反应腔进行外延材料生长，通过在发光层中形成多个V型坑，并在V型坑中引入Fe掺杂GaN层、Fe和C共掺杂GaN层、BGaN层，促使室温下更多的空穴到达N侧的长波量子阱，减少室温与热态条件下到达N侧长波量子阱的空穴数量差异，从而减少室温与热态条件下主波长差值，减少波长红移，同时提高光输出功率，提升亮度，有效解决全光谱LED在室温和热态工作温度下主波长差值大、波长发生红移的技术问题。