一种发光二极管及发光装置

本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括一外延结构，该外延结构至少包含依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层。其中，有源层包括多个周期重复堆叠的阱层和垒层，阱层为含In的氮化物材料层，其中，阱层中铟的摩尔含量为25％以上；垒层为不含Al的氮化物材料层，外延结构包括V型坑。由此，本发明通过对垒层的优化，有利于提高有源层内的辐射复合概率，从而提升内量子效率。