검색으로 돌아가기
기록
一种半导体器件
발명유효
1조회수
5청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ
개요
출원인
深圳市晶相技术有限公司; 广东晶相光电科技有限公司; 苏州辰华半导体技术有限公司
발명자
陈卫军
IPC 분류
H10H 20/816 (2025.01)H10H 20/815 (2025.01)
本发明提出一种半导体器件，包括：衬底；缓冲层，设置在所述衬底上，所述缓冲层的厚度为20～300nm；第一半导体层，设置在所述缓冲层上，连接第一电极；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上，连接第二电极；以及空穴注入层，设置在所述第二半导体层上，且所述空穴注入层包括非或低掺杂的氮化镓层，和/或掺杂的氮化镓层。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。