一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置

本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延结构、发光二极管及显示装置，包括衬底及位于衬底上的外延层，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层、第一电子阻挡层和第二半导体层，第一电子阻挡层包括依次层叠的第一子阻挡层和插入层，第一子阻挡层包括高铝半导体层，插入层形成在高铝半导体层上，插入层包括非故意掺杂铝的极化强化层。在电场作用下，通过极化强化层配合高铝半导体层，能够在极化诱导效应下获得更高的载流子迁移率，利于形成二维空穴气，增加空穴浓度，有效提高了空穴注入效率，进而提高器件发光效率。