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发光二极管芯片
발명유효
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§ Ⅰ
개요
발명자
徐群超; 陈伟新
IPC 분류
H10H 29/80 (2025.01)H10H 29/85 (2025.01)H10H 29/853 (2025.01)
本发明提供一种发光二极管芯片。本发明的发光二极管芯片包括发光二极管单元以及覆盖在发光二极管单元的侧壁的硬掩膜,硬掩膜侧壁上覆盖有绝缘层,绝缘层的侧壁以连续向下延伸的趋势延伸,以使得所述绝缘层的外壁在所述电极层和所述发光主体的连接位置处不形成台阶,所述台阶被限定为主要延伸方向为水平的壁面。由于不形成台阶,那么在像素尺寸一定的情况下能够允许发光二极管单元的发光主体的尺寸做得较大,从而获得面积较大的发光区域,以提升出光率。