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기록
一种2D/3D/2D卤化物半导体异质结及其制备方法和应用
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
保秦烨; 熊少兵; 赵斌; 褚君浩
IPC 분류
H10K 30/30 (2023.01)H10K 30/50 (2023.01)H10K 30/60 (2023.01)H10K 71/12 (2023.01)H10K 71/40 (2023.01)H10K 85/50 (2023.01)H10K 50/11 (2023.01)
本发明公开了一种2D/3D/2D卤化物半导体异质结及其制备方法和应用，所述制备方法利用全溶液法将2D卤化物半导体晶种引入3D卤化物半导体的底部和顶部，形成2D/3D/2D卤化物半导体异质结，底部2D卤化物半导体在3D卤化物半导体层和空穴传输层之间形成级联能带排列，减少热离子损失，钝化界面缺陷，并增强3D卤化物半导体薄膜的外延结晶；顶部2D卤化物半导体优化了3D卤化物半导体层与电子传输层的界面能级匹配，促进电子提取。该异质结显著提升了器件的开路电压、短路电流密度、填充因子和能量转换效率，达到了25.25％的效率，并有效提高了器件稳定性，隔绝了水氧的侵袭。