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기록
半导体结构的布局图案以及其形成方法
발명유효
20청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
许家彰; 王慧琳
IPC 분류
H10N 50/10 (2023.01)H10N 50/80 (2023.01)H10N 50/01 (2023.01)H10B 61/00 (2023.01)G11C 11/16 (2006.01)
本发明公开一种半导体结构的布局图案以及其形成方法，其中半导体结构的布局图案包含多个SOT(Spin‑Orbit Torque，自旋轨道转矩)层，排列成阵列并且位于一介电层上，其中每一个SOT层下方连接两个接触插塞结构，多个MTJ(magnetic tunnel junction,磁隧穿结)结构排列成阵列，各MTJ结构分别位于各SOT层上，其中每一个SOT层上包含有一个MTJ结构，以及多个虚设MTJ结构，位于多个MTJ结构之间，其中各虚设MTJ结构的形状与各MTJ结构的形状不同。